ترجمه مقالات

دانلود مقالات ترجمه شده و دریافت رایگان متون انگلیسی

ترجمه مقالات

دانلود مقالات ترجمه شده و دریافت رایگان متون انگلیسی

وب دانلود رایگان مقالات انگلیسی و خرید ترجمه مقالات
کلمات کلیدی

دانلود ترجمه مقالات بازاریابی

تجارت

مقاله ترجمه شده مکانیک

مقاله در مورد تجارت الکترونیک

مقاله انگلیسی رضایت مشتری

مقاله درباره تولید پراکنده (DG)

مبدل منبع ولتاژ

مقاله در مورد سفته باز

مقاله در خصوص بنیادگرایان

مقاله انگلیسی حباب احتکار

مقاله انگلیسی بازارهای کارا

بانکداری و امور مالی

مقاله در مورد تحقیقات بتزاریابی آسیا

مقاله انگلیسی جهانی سازی

دانلود مقاله در مورد رفتار مصرف کننده

دانلود مقاله تحقیقات بازاریابی بین المللی

مقاله روابط کاهندگی موج برشی و ویسکوزیته گوشته

مقاله درباره توموگرافی امواج سطحی

مقاله در خصوص درجه حرارت گوشته

دانلود مقاله ضخامت لایه لیتوسفر

ترجمه مقالات زمین شناسی

مقاله درباره رضایت مالیات دهنده

مقاله در خصوص تحلیل عامل درجه دوم

مقاله انگلیسی کیفیت اطلاعات

دانلود کیفیت سیستم

دانلود مقاله سیستم ثبت مالیات آنلاین

مقاله درباره اجرای عملیاتی

مقاله در خصوص مطالعه رویداد

مقاله انگلیسی برون سپاری منابع انسانی اداری

مدیریت منابع انسانی

عنوان اصلی لاتین : Optimal geometric design of monolithic thin-film solar modules: Architecture of polymer solar cells


عنوان اصلی فارسی مقاله: طراحی هندسی بهینه ماژول های پوسته نازک یکپارچه خورشیدی؛ ساختمان پیل های خورشیدی پلیمری


مرتبط با رشته های : فیزیک


نوع فایل ترجمه : ورد آفیس(که دارای امکان ویرایش می باشد)


تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 21 صفحه


کلمات کلیدی مربوطه با این مقاله: ماژول خورشیدی یکپارچه، هندسی، حوزه فعال، بهم پیوسته، شبیه سازی، معغادله دیود


برای دریافت رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

_______________________________________
قسمتی از ترجمه:
در این مقاله، بهینه سازی هندسی پیل های خورشیدی که به طور یکپارچه در ماژول های خورشیدی بصورت سریالی متصل شده، مجتمع شده اند، گزارش می شود. مبنی بر تعیین تجربی مقاومت های صفحات الکترود و کنتاکت های ادواری ،مقاومت های سری کل هر پیل خورشیدی و ماژول های خورشیدی متصل شده از درون، محاسبه شده اند. با در نظر گرفتن چگالی تولید جریان نوری ثابت، ژول کلی تلفات توان نسبتا مقاومتی،بوسیله ی یک شبیه سازی خودسازگار بر اساس 1-دیود، تعیین شده است. این روش، بسته به سیستم مواد بکار رفته،اجازه ی بهینه سازی هندسی ماژول خورشیدی را می دهد. به عنوان مثال،ماژول های خورشیدی پلیمری مبنی بر الکتررودITO و الکترود-بدون-ITO، با در نظر گرفتن ابعاد ساختاری بهینه شده اند. 

مقدمه:
بیشتر ماژول های خورشیدی پوسته نازک امروزی که از نیمه هادی ها ساخته شده اند،از یک الکترود رسانای نیمه شفاف ساخته شده با ناخالصی از نوع اکسیدهای فلزی،به نام اکسیدهای رسانای شفاف(TCOs)،ساخته شده اند. برای مثال،ماژول های خورشیدی یکپارچه مبنی بر سیلیکون بیشکل،بر روی الکترودهای با ناخالصی ایندیوم با اکسیدقلع(ITO) یا الکترودهای با ناخالصی الومینیوم با اکسید روی(Al:ZnO)،بر روی شیشه نشست می کند. اگرچه،یک اشکال اصلی این TCOها،مقاومت نسبتن زیاد صفحات است،که ویژگی های شفافیت و رسانایی همدیگر را خنثی می کنند.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

قسمتی از مقاله انگلیسی

independent of the electrodes and are based on the experimentally determined IV-characteristics of P3HT:PCBM solar cells. It is thus assumed that the diode parameters are solely determined by the photoactive layer, which is identical for all devices. This is reasonable, as in all cases aluminum and PEDOT:PSS serve as charge extracting electrodes and hence no differences in the rectification behavior is expected. Neglecting the small differences originating from the solar light propagation through the substrate and the semitransparent electrode, it can be further assumed that the short circuit photocurrent generated by the current source is constant for all cases. Of course this assumption can be removed and the calculation can be refined by conducting optical simulations for each multilayer stack, but this is of minor importance for the effects to be considered here. Once all equivalent circuit element parameters were determined, the 1-diode simulation was conducted by sweeping the external voltage. Upon determination of all currents passing and voltages resulting at each equivalent circuit element, the global IVcurve was calculated. From the IV-curves all solar cell parameters, i.e. the short circuit photocurrent density JSC, the open circuit voltage VOC, the fill factor FF and the corresponding maximum power point MPP and thus the power conversion efficiency Z were determined. Furthermore all resistive power losses were calculated for the involved series and parallel resistances. By considering the active area for power generation alone the geometrical power loss due to the area fill factor (Eq. 7) was implicitly taken into account.