توجه برای دیدن نسخه لاتین کامل و درست صحیح لطفا در قسمت پایین متون خارجی را به صورت رایگان دریافت نمایید.
قسمتی از متن انگلیسی:
However, Ge can be a challenging material to integrate in a
CMOS environment for its low thermal budget constraint and
its large lattice mismatch of
۴٫۲% with Si [19]. High defect
densities seen in the Ge-on-silicon-on-insulator (SOI) epitax-
ial film could induce unfavorable carrier recombination process
that would degrade the detector’s performance.
توضیحات
عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform
عنوان فارسی مقاله: مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری
ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید
فلزى تکمیلى سیلیکونی.
دسته: برق و الکترونیک
فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات فایل ترجمه شده: ۲۴
مقاله انگلیسی با ترجمه روان فارسی آماده ی خرید می باشد.
پایین متون خارجی را به صورت رایگان دریافت نمایید.