قسمتی از ترجمه مقاله
اولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و
نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات
الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه
۷۰ بوده است [۳, ۴, ۸]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان
پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی
مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل
ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک
[۵] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های
کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می
باشد.
روش حد وسط موثر، توسط مجموعه ای از مدل های تحلیلی مختلف بر مبنای
پارامتربندی تابع دی الکتریک، دنبال شد. این مدل ها امکان تعیین خصوصیات
مواد را در مواردی می دهند که مواد نمی تواند به عنوان ترکیب همگنی از
فازها با توابع دی الکتریک شناخته شده، مد نظر قرار گیرد. این مدل ها
همچنین می تواند برای ذرات کوچکی که تاثیر اندازه را نشان می دهند ( و
ساختار الکترونیکی اصلاح شده و تابع دی الکتریک) یعنی ذراتی که نمی توانند
توسط برگشت های حجیم مدلسازی گردند، مورد استفاده قرار گیرد.
