دانلود ترجمه مقاله لکتور: شیوه ای جهت کم شدن نشت در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى

عنوان ترجمه فایل فارسی: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.

عنوان نسخه انگلیسی: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits

مرتبط با رشته های : برق و الکترونیک

تعداد صفحات مقاله فارسی: ۳۲ صفحه

این فایل ترجمه شده به صورت ورد word می باشد و دارای امکان ویرایش هست.

و دریافت رایگان متون لاتین در قسمت پایین با فرمت pdf آمده دانلود است.

---

ترجمه مقالات الکترونیک, ترجمه مقالات برق, دانلود رایگان مقالات انگلیسی, دانلود مقالات ترجمه شده تحقیق درباره بهینه سازی توان,ترجمه,دانلود پشته ترانزیستور,دانلود ترجمه ریزمیکرون ژرف,مقاله در مورد نشت توان

قسمتی از متن انگلیسی:

I. INTRODUCTION

P OWER dissipation is an important consideration in the design of CMOS VLSI circuits. High power consumption leads to reduction in the battery life in the case of battery-powered applications and affects reliability, packaging, and cooling costs. The main sources for power dissipation are: 1) capacitive power dissipation due to the charging and discharging of the load capacitance; 2) short-circuit currents due to the existence of a conducting path between the voltage supply and ground for the brief period during which a logic gate makes a transition; and 3) leakage current. The leakage current consists of reverse-bias diode currents and subthreshold currents. The former is due to the stored charge between the drain and bulk of active transistors while the latter is due to the carrier diffusion between the source and drain of the OFF transistors

جهت مشاهده ادامه بر روی متن زیر کلیک نمایید.

دانلود ترجمه مقاله لکتور: شیوه ای جهت کم شدن نشت در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى