دانلود ترجمه مقاله فن شناسی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیل شده -نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ امکان تنظیم
عنوان ترجمه فایل فارسی: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
عنوان نسخه انگلیسی: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
مرتبط با رشته های : برق و الکترونیک
تعداد صفحات مقاله فارسی: ۱۱ صفحه
این فایل ترجمه شده به صورت ورد word می باشد و دارای امکان ویرایش هست.
و دریافت رایگان متون لاتین در قسمت پایین با فرمت pdf آمده دانلود است.
قسمتی از متن انگلیسی:
I. INTRODUCTION
Silicon nanowires (Si-NW) are intensively investigated by many research groups and considered as promising replacement for standard MOSFET based transistor technology, since classic geometric downscaling of planar MOSFET devices is reported to come to an end [1]. However, the ambipolar [2] nature of the nanowires turns out to be a roadblock, as p-type and n-type transistors are basic building blocks for today’s complementary MOS logic, i.e. its simplest device, the inverter [3]. Concerning bottom-up NWfabrication, a vapour-liquid-solid growth approach is often not compatible with standard CMOS technology, in view of the used catalyst materials, as well as the need of high growth temperatures during the fabrication process.
قسمتی از ترجمه مقاله
